• Số lượng video
  • Danh mục

CƠ SỞ THIẾT KẾ VI MẠCH
Đại học Quốc gia Thành phố Hồ Chí Minh
1. Tổng quan về môn học

Môn học này cung cấp những kiến thức cơ sở, nền tảng trong lĩnh vực thiết kế vi mạch đến người học. Mục tiêu môn học giúp đào tạo một kỹ thuật viên, một cử nhân sau khi tốt nghiệp, hoạt động trong ngành thiết kế vi mạch, mà có thể ứng dụng được những kiến thức nền tảng đã học cho việc sử dụng các công cụ CAD để thiết kế vi mạch, giải quyết được các vấn đề chuyên sâu và phát triển nghề nghiệp trong lĩnh vực thiết kế vi mạch.

Môn học này dành cho các đối tượng người học hướng đến tương lai trở thành một kỹ sư hoạt động trong lĩnh vực vi mạch, có thể đảm nhiệm nhiều vị trí khác nhau trong doanh nghiệp vi mạch như: Kỹ sư cầu nối giữa thiết kế và sản xuất vi mạch; Kỹ sư thiết kế bộ thư viện, thiết kế PDK; Kỹ sư thiết kế bộ Luật thiết kế (Design Rule); Kỹ sư thiết kế trong từng bước cho vi mạch tương tự, vi mạch số hay vi mạch hỗn hợp,…

 

2. Chuẩn đầu ra môn học

STT

Chuẩn đầu ra môn học

ABET

L.O.1

Nắm được được quy trình thiết kế - sản xuất vi mạch,  mối quan hệ và vai trò của các thành phần trong vi mạch bán dẫn, phân biệt được các loại mô hình hóa linh kiện.

1b (P), 1c (P), 1d (P), 2b (S), 2c (S), 7c (S)

L.O.1.1 – Nắm được được quy trình tổng quát thiết kế - sản xuất vi mạch.

L.O.1.2 – Hiểu và phân biệt được các loại mô hình hóa linh kiện.

L.O.1.3 – Trình bày được mối quan hệ và vai trò của các thành phần trong vi mạch bán dẫn.

L.O.1.4 – Trình bày được quá trình sản xuất vi mạch.

 

L.O.2

Mô tả được quá trình hình thành well và các luật thiết kế liên quan, tính toán điện trở của well thông qua layout và Rs. Phân tích được điện dung miền nghèo, điện dung khuếch tán của tiếp xúc pn.

6b (P), 6c (P)

L.O.2.1    – Mô tả được quá trình hình thành well và các luật thiết kế liên quan

L.O.2.2    – Hiểu về khái niệm điện trở tấm  và tính toán điện trở của well thông qua layout và

L.O.2.3    – Phân tích được điện dung miền nghèo, điện dung khuếch tán của tiếp xúc pn

L.O.2.4    – Tính toán thời gian trễ và thời gian tăng của mạch RC

 

L.O.3

Nắm được cách thiết kế layout của bonding pad, các lớp kim loại, lớp active, n-select, p-select, poly1, silicide và tiếp xúc. Hiểu và trình bày được hiện tượng nhiễu xuyên kênh, nảy đất, tản điện tử và phóng tĩnh điện.

4d (S)

L.O.3.1   – Nắm được cách thiết kế layout của bonding pad, các lớp kim loại

L.O.3.2   – Nắm được các lớp chế tạo bổ sung: lớp active, n-select, p-select,

 poly1, silicide và tiếp xúc

L.O.3.3   – Hiểu và trình bày được hiện tượng nhiễu xuyên kênh, nảy đất, tản

điện tử và phóng tĩnh điện

 

L.O.4

Nắm được các yếu tố ảnh hưởng đến điện trở, và tính toán được điện trở trong quá trình sản xuất CMOS; các thông số ký sinh trong MOSFET và cách layout để tối thiểu hóa các thông số này. Phân biệt các kỹ thuật layout khác nhau. Hiểu được cách layout tụ điện poly-poly và sự phụ thuộc vào nhiệt độ của nó.

2a (P), 2c (P)

L.O.4.1 – Nắm được các yếu tố ảnh hưởng đến điện trở, và tính toán được điện trở trong quá trình sản xuất CMOS

L.O.4.2 – Phân biệt các kỹ thuật layout khác nhau

L.O.4.3 – Hiểu được cách layout tụ điện poly-poly và sự phụ thuộc vào nhiệt độ của nó.

L.O.4.4 – Nắm được các thông số ký sinh trong MOSFET và cách layout để tối thiểu hóa các thông số này.

 

L.O.5

Trình bày nguyên lý hoạt động của MOSFET, mô hình SPICE của MOSFET và tham số liên quan. Phân tích được mô hình MOSFET kênh dài kênh ngắn và mô hình nhiễu MOSFET.

5a (S), 5b (S), 5c (S), 5d (S),

L.O.5.1 – Trình bày nguyên lý hoạt động của MOSFET.

L.O.5.2 – Trình bày các mô hình SPICE của MOSFET và tham số liên quan

L.O.5.3 – Phân tích được mô hình MOSFET kênh dài và kênh ngắn

L.O.5.4 – Phân tích mô hình nhiễu MOSFET

 

L.O.6

Hiểu, phân tích và tính toán các mô hình kỹ thuật số cho vi mạch; phân tích được đặc tính của cổng Inverter với các layout khác nhau và trình bày khái niệm standard cell.

1b (P), 1c (P), 1d (P)

L.O.6.1 –  Hiểu và phân tích mô hình kỹ thuật số của MOSFET

L.O.6.2 – Hiểu cấu hình Pass Gate của MOSFET và tính toán độ trễ đi qua

L.O.6.3 – Phân tích các đặc tính của cổng Inverter và trình bày khái niệm standard cell.

L.O.6.4 – Hiểu và phân biệt được các cấu hình Inverter khác nhau

 

L.O.7

Hiểu, trình bày, và phân biệt được quy trình thiết kế chung cho thiết kế vi mạch số và vi mạch tương tự; phương pháp thiết kế vi mạch bao gồm thiết kế full-custom và semi-custom; các kỹ năng cần thiết cho người kỹ sư thiết kế vi mạch số và vi mạch tương tự

3a (P), 3c (P), 7a (P), 7b (P), 7c (P)

L.O.7.1 –  Trình bày và mô tả quy trình thiết kế vi mạch đầy đủ từ bước đặc tả đầu tiên đến bước đóng gói, kiểm tra cuối cùng.

L.O.7.2 – Phân biệt được sự giống và khác nhau trong quy trình thiết kế vi mạch số và tương tự.

L.O.7.3 –  Phân biệt được sự khác nhau của phương pháp thiết kế full-custom và semi-custom.

L.O.7.4 – Trình bày được quy trình thiết kế vật lý và logic, xác định được vai trò của các công cụ tổng hợp logic và các bước cần thiết để chuyển từ netlist đến layout cuối cùng.

 

3. Thông tin về môn học

Tên tiếng Anh: Introduction to IC Design

Nội dung: 60 giờ video lý thuyết ( và 12 giờ thảo luận/thực hành )

Ngôn ngữ: Tiếng Việt ( có kèm phụ đề Tiếng Anh nếu có )

Môn học trước: Vật lý bán dẫn; Kỹ thuật số

Đội ngũ giảng viên:

PGS. TS. Hoàng Trang

TS. Trần Hoàng Linh

ThS. Trần Hoàng Quân

ThS. Nguyễn Trung Hiếu

 

4. Hình thức đánh giá

Hoàn thành các nội dung và bài kiểm tra trực tuyến với tổng điểm >= 80% :

Tổng điểm = Xem video ( 20% ) + Thảo luận/Thực hành ( 20% ) + Làm bài tập lớn ( 40% ) + Làm bài kiểm tra/thi ( 20% )

 

5. Tài liệu tham khảo
Sách, giao trình chính (Textbooks):

Hoàng Trang, Cơ sở thiết kế vi mạch , NXB ĐHQG TP.HCM, 2024.

 

Sách tham khảo (Reference books):

1. CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems PerspectivePearson; 4th edition, 2010, ISBN: ‎978-0321547743.

2. Behzad Razavi, Design Of Analog Cmos Integrated Circuit, MC GRAW HILL; 2nd edition, 2017, ISBN: ‎978-9325983274.

3. R. Jacob Baker, CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation, IEEE Press Series on Microelectronic Systems, 4th Edition, 2019, ISBN: ‎978-1119481515

4. Samir Palnitkar, Verilog HDL: A Guide to Digital Design and Synthesis, Prentice Hall; 2nd edition, 2003, ISBN: ‎978-0132599702.

5. The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication, Oxford University Press; 2nd edition, 2001, ISBN: ‎978-0195136050.

6. FPGA Prototyping by Verilog Examples: Xilinx Spartan-3 Version, Wiley-Interscience; 1st edition, 2008, ISBN: ‎978-0470185322.

7. Donald Neamen, Microelectronics Circuit Analysis and Design, 4th edition, McGraw Hill, 2010, ISBN: 978-0-07-338064-3.

 

6. Nội dung môn học

CHƯƠNG 1: Tổng quan về thiết kế vi mạch

Tổng quan vi mạch, các thành phần chính trong công nghiệp vi mạch [ video ].

Mô hình hóa linh kiện [ video ].

Quá trình sản xuất vi mạch [ video ].

CHƯƠNG 2: Giếng bán dẫn trong CMOS (WELL)

Lớp nền (substrate, wafer ban đầu chưa qua xử lý) [ video ].

Chế tạo giếng bán dẫn (well) [ video ].

Thiết kế và chế tạo n-well [ video ].

Diode giữa n-well và lớp nền [ video ].

Mô hình thời gian trễ RC đối với n-well [ video ].

Quy trình hai well, ba well (twin-well, triple-well) [ video ].

Luật thiết kế well (DR – Design Rule cho well) [ video ].

CHƯƠNG 3: Lớp kim loại, lớp tích cực, lớp select và lớp Poly

Mối hàn pad (Bonding pad)-Hiện tượng tản điện tử [ video ].

Cách thiết kế và layout cho lớp kim loại [ video ].

Nhiễu xuyên kênh, nảy đất [ video ].

Thiết kế layout cho pad, khung pad (pad frame) [ video ].

Các lớp chế tạo bổ sung: lớp active, n-select, p-select, poly1, silicide và tiếp xúc [ video ].

Sơ lược quy trình CMOS và kết nối dây dẫn với các lớp chế tạo bổ sung [ video ].

Bảo vệ phóng tĩnh điện (ESD – ElectroStatic Discharge) [ video ].

CHƯƠNG 4: Điện trở, tụ điện, các vấn đề ký sinh trong MOSFET

Điện trở và các yếu tố ảnh hưởng đến điện trở trong quá trình sản xuất CMOS [ video ].

Cách layout tụ điện poly-poly và sự phụ thuộc vào nhiệt độ của nó [ video ].

Các thông số ký sinh trong MOSFET và cách layout để tối thiểu hóa các thông số này [ video ].

CHƯƠNG 5: Hoạt động của MOSFET

Tổng quan và đánh giá điện dung MOSFET [ video ].

Điện áp ngưỡng [ video ].

Đặc tính IV của MOSFET [ video ].

Hiệu ứng kênh ngắn và kênh dài trong MOSFET [ video ].

Các mô hình SPICE của MOSFET và tham số liên quan [ video ].

CHƯƠNG 6: Mô hình và các vấn đề trong thiết kế vi mạch tương tự

Các ý tưởng, vấn đề chính trong quy trình thiết kế vi mạch tương tự [ video ].

MOSFET kênh dài và kênh ngắn [ video ].

Nhiễu điện và mô hình nhiễu MOSFET [ video ].

CHƯƠNG 7: Mô hình cho thiết kế vi mạch số và standard cell cổng đảo

Mô hình kỹ thuật số của MOSFET [ video ].

Cấu hình cổng chuyển của MOSFET [ video ].

Layout, đặc tính và ứng dụng của cổng Inverter [ video ].

Các cấu hình Inverter khác nhau[ video ].

CHƯƠNG 8: Quy trình thiết kế vi mạch: Mô hình, Cách Tiếp Cận, Nhiệm Vụ

Quy trình thiết kế chung [ video ].

Mô hình thiết kế [ video ].

Các phương án thiết kế [ video ].

Tổng quan một số nhiệm vụ và công cụ trong thiết kế vi mạch [ video ].

Quy trình thiết kế vi mạch tương tự và vi mạch số [ video ].

 

7. Công nhận chứng chỉ môn học

Để nhận chứng chỉ hoàn thành môn học, người học cần thực hiện các bước như sau:

Các nội dung bao gồm xem video, thảo luận, làm bài thực hành, làm bài tập lớn và bài kiểm tra/thi sẵn sàng trên hệ thống trong khoảng thời gian bắt đầu và kết thúc môn học. Người học, sau khi đăng kí và vào học, có thể truy cập đến tất cả các nội dung này.

Người học tham gia đầy đủ các nội dung trong môn học để đạt được tổng điểm tích luỹ >= 80% .

Người học có thể làm bài thực hành, thảo luận nhiều lần để cải thiện điểm tích luỹ. Các chủ đề thảo luận có thể có hạn nộp và có giảng viên phụ trách đánh giá.

Người học phải đăng kí tham dự và vượt bài kiểm tra đánh giá trực tiếp và có phí do ĐHQG-HCM tổ chức.


Nội dung học phần

GIỚI THIỆU MÔN HỌC
Giới thiệu môn học Cơ sở thiết kế vi mạch Xem
Video 0 - Giới thiệu môn học Xem
Thảo luận chung môn học Xem
CHƯƠNG 1: Tổng quan về thiết kế vi mạch
Video 1.1 - Giới thiệu chương 1 Xem
Video 1.2 - Tổng quan công nghiệp vi mạch Xem
Video 1.3 - Thư viện thiết kế PDK Xem
Video 1.4 - Mô hình hóa linh kiện Xem
Video 1.5 - Sản xuất wafer Xem
Video 1.6 - Sản xuất wafer (tt) Xem
Video 1.7 - Số die trên wafer Xem
Video 1.8 - Giới thiệu mask trong thiết kế vi mạch Xem
Video 1.9 - Tổng quan về sản xuất vi mạch Xem
Video 1.10 - Bài toán về sản xuất vi mạch Xem
Video 1.11 - Quy trình CMOS đơn vị Xem
Video 1.12 - Quy trình CMOS đơn vị (tt) Xem
Video 1.13 - Quá trình Quang khắc Xem
Video 1.14 - Quá trình Quang khắc (tt) Xem
Video 1.15 - Phương pháp loại bỏ lớp màng mỏng Xem
Video 1.16 - Quy trình lắng đọng lớp màng mỏng Xem
Video 1.17 - Phòng sạch Xem
Câu hỏi ôn tập chung chương 1 Xem
Bài tập tổng hợp chương 1 Xem
Bài kiểm tra chương 1 Xem
Thảo luận chương 1 Xem
CHƯƠNG 2: Giếng bán dẫn trong CMOS (WELL)
Video 2.1 - Giới thiệu về well Xem
Video 2.2 - Thiết kế và chế tạo n-well Xem
Video 2.3 - Thiết kế và chế tạo n-well (tt) Xem
Video 2.4.1 - Review về bán dẫn phần 1 Xem
Video 2.4.2 - Review về bán dẫn phần 2 Xem
Video 2.4.3 - Review về bán dẫn phần 3 Xem
Video 2.5 - Diode giữa n-well và lớp nền Xem
Video 2.6 - Diode giữa n-well và lớp nền (tt) Xem
Video 2.7 - Mô hình thời gian trễ RC & Quy trình twin-well, triple-well Xem
Video 2.8 - Luật thiết kế cho well Xem
Câu hỏi ôn tập chung chương 2 Xem
Bài tập tổng hợp chương 2 Xem
Bài kiểm tra chương 2 Xem
Thảo luận chương 2 Xem
CHƯƠNG 3: Lớp kim loại, lớp tích cực, lớp select và lớp Poly
Video 3.1 - Giới thiệu chương 3 Xem
Video 3.2 - Bonding pad Xem
Video 3.3 - Bonding pad (tt) Xem
Video 3.4 - Hiện tượng tản điện tử Xem
Video 3.5 - Ví dụ về tản điện tử Xem
Video 3.6 - Thiết kế và layout lớp kim loại Xem
Video 3.7 - Các vấn đề kí sinh liên quan đến lớp kim loại Xem
Video 3.8 - Các vấn đề kí sinh liên quan đến lớp kim loại (tt) Xem
Video 3.9 - Các nguyên tắc thiết kế & Điện trở tiếp xúc Xem
Video 3.10 - Nhiễu xuyên kênh & nảy đất Xem
Video 3.11 - Thiết kế layout khung pad Xem
Video 3.12 - Các lớp chế tạo bổ sung Xem
Video 3.13 - Các lớp chế tạo bổ sung (tt) Xem
Video 3.14 - Quy trình CMOS đối với các lớp chế tạo bổ sung Xem
Video 3.15 - Kết nối dây dẫn với lớp poly, lớp active Xem
Video 3.16 - Kết nối dây dẫn với lớp poly, lớp active (tt) Xem
Video 3.17 - Bảo vệ phóng tĩnh điện Xem
Câu hỏi ôn tập chung chương 3 Xem
Bài tập tổng hợp chương 3 Xem
Bài kiểm tra chương 3 Xem
Thảo luận chương 3 Xem
CHƯƠNG 4: Điện trở, tụ điện, các vấn đề ký sinh trong MOSFET
Video 4.1 - Điện trở trong Thiết kế vi mạch Xem
Video 4.2 - Điện trở trong Thiết kế vi mạch (tt) Xem
Video 4.3 - Kỹ thuật layout Điện trở Xem
Video 4.4 - Tụ điện trong Thiết kế vi mạch Xem
Video 4.5 - Hiện tượng kí sinh trong MOSFET Xem
Video 4.6 - Các thông số kí sinh trong MOSFET Xem
Video 4.7 - Các thông số kí sinh trong MOSFET (tt) Xem
Câu hỏi ôn tập chung chương 4 Xem
Bài tập tổng hợp chương 4 Xem
Bài kiểm tra chương 4 Xem
Thảo luận chương 4 Xem
CHƯƠNG 5: Hoạt động của MOSFET
Video 5.1 - Tổng quan về điện dung MOSFET Xem
Video 5.2 - Đánh giá điện dung MOSFET & Khái niệm Điện áp ngưỡng Xem
Video 5.3 - Điện áp ngưỡng (tt) Xem
Video 5.4 - Đặc tính IV của MOSFET phần 1 Xem
Video 5.5 - Đặc tính IV của MOSFET phần 2 Xem
Video 5.6 - Đặc tính IV của MOSFET phần 3 Xem
Video 5.7 - Mô hình SPICE của MOSFET Xem
Video 5.8 - Giới thiệu MOSFET kênh ngắn Xem
Video 5.9 - Mô hình SPICE của MOSFET kênh ngắn Xem
Câu hỏi ôn tập chung chương 5 Xem
Bài tập tổng hợp chương 5 Xem
Bài kiểm tra chương 5 Xem
Thảo luận chương 5 Xem
CHƯƠNG 6: Mô hình và các vấn đề trong thiết kế vi mạch tương tự
Video 6.1 - Các vấn đề chính trong Thiết kế vi mạch tương tự Xem
Video 6.2 - MOSFET kênh dài trong Thiết kế vi mạch tương tự Xem
Video 6.3 - Phương trình Square-Law Xem
Video 6.4 - Mô hình tín hiệu nhỏ Xem
Video 6.5 - Mô hình tín hiệu nhỏ (tt) Xem
Video 6.6 - Ảnh hưởng của nhiệt độ lên MOSFET Xem
Video 6.7 - MOSFET kênh ngắn trong Thiết kế vi mạch tương tự Xem
Video 6.8 - Nhiễu điện và mô hình nhiễu của MOSFET Xem
Câu hỏi ôn tập chung chương 6 Xem
Bài tập tổng hợp chương 6 Xem
Bài kiểm tra chương 6 Xem
Thảo luận chương 6 Xem
CHƯƠNG 7: Mô hình cho thiết kế vi mạch số và standard cell cổng đảo
Video 7.1 - Mô hình số của MOSFET Xem
Video 7.2 - Mô hình số của MOSFET (tt) Xem
Video 7.3 - Độ trễ và Thời gian chuyển tiếp Xem
Video 7.4 - Cổng chuyển MOSFET Xem
Video 7.5 - Độ trễ khi qua cổng chuyển & Một số lưu ý về phép đo trong mô hình số MOSFET Xem
Video 7.6 - Giới thiệu cổng đảo & Đặc tính DC của cổng đảo Xem
Video 7.7 - Đặc tính DC của cổng đảo (tt) Xem
Video 7.8 - Đặc tính chuyển mạch của cổng đảo Xem
Video 7.9 - Layout của mạch cổng đảo Xem
Bài tập tổng hợp chương 7 Xem
Bài kiểm tra chương 7 Xem
Thảo luận chương 7 Xem
CHƯƠNG 8: Quy trình thiết kế vi mạch: Mô hình, Cách Tiếp Cận, Nhiệm Vụ
Video 8.1 - Quy trình thiết kế VLSI phần 1 Xem
Video 8.2 - Quy trình thiết kế VLSI phần 2 Xem
Video 8.3 - Quy trình thiết kế VLSI phần 3 Xem
Video 8.4 - Mô hình thiết kế Không gian 3D Xem
Video 8.5 - Biểu đồ Y Gajski-Kuhn Xem
Video 8.6 - Thiết kế full-custom và semi-custom Xem
Video 8.7 - Thiết kế semi-custom (tt) Xem
Video 8.8 - Thiết kế Top-Down, Bottom-Up & Meet-in-the-Middle Xem
Video 8.9 - Tổng quan về nhiệm vụ & công cụ trong Thiết kế vi mạch Xem
Video 8.10 - Sự khác biệt giữa thiết kế vi mạch tương tự và vi mạch số Xem
Video 8.11 - Quy trình thiết kế vi mạch tương tự Xem
Video 8.12 - Quy trình thiết kế vi mạch tương tự (tt) Xem
Video 8.13 - Quy trình thiết kế vi mạch số Xem
Video 8.14 - Quy trình thiết kế vi mạch hỗn hợp Xem
Video 8.15 - Digital/Analog: thảo luận thêm Xem
Câu hỏi ôn tập chung chương 8 Xem
Bài tập tổng hợp chương 8 Xem
Bài kiểm tra chương 8 Xem
Thảo luận chương 8 Xem

Hồ sơ giảng viên

Hoàng Trang

Giảng viên có 1 khóa học

Chào mừng


Liquid error: internal
Học trực tuyến chủ động qua các video, nội dung có sẵn. Không giới hạn thời gian. Đăng ký một lần, học mãi mãi. Học thuận tiện, bất cứ khi nào, bất cứ nơi đâu có Internet. Đặt câu hỏi với Giảng viên với tính năng Thảo luận.
Hotline tư vấn kỹ thuật:
0888 678 028
Email tư vấn kỹ thuật:
info@vnuhcm.edu.vn