-
Số lượng video
- Danh mục
Môn học này cung cấp những kiến thức cơ sở, nền tảng trong lĩnh vực thiết kế vi mạch đến người học. Mục tiêu môn học giúp đào tạo một kỹ thuật viên, một cử nhân sau khi tốt nghiệp, hoạt động trong ngành thiết kế vi mạch, mà có thể ứng dụng được những kiến thức nền tảng đã học cho việc sử dụng các công cụ CAD để thiết kế vi mạch, giải quyết được các vấn đề chuyên sâu và phát triển nghề nghiệp trong lĩnh vực thiết kế vi mạch.
Môn học này dành cho các đối tượng người học hướng đến tương lai trở thành một kỹ sư hoạt động trong lĩnh vực vi mạch, có thể đảm nhiệm nhiều vị trí khác nhau trong doanh nghiệp vi mạch như: Kỹ sư cầu nối giữa thiết kế và sản xuất vi mạch; Kỹ sư thiết kế bộ thư viện, thiết kế PDK; Kỹ sư thiết kế bộ Luật thiết kế (Design Rule); Kỹ sư thiết kế trong từng bước cho vi mạch tương tự, vi mạch số hay vi mạch hỗn hợp,…
STT |
Chuẩn đầu ra môn học |
ABET |
L.O.1 |
Nắm được được quy trình thiết kế - sản xuất vi mạch, mối quan hệ và vai trò của các thành phần trong vi mạch bán dẫn, phân biệt được các loại mô hình hóa linh kiện. |
1b (P), 1c (P), 1d (P), 2b (S), 2c (S), 7c (S) |
L.O.1.1 – Nắm được được quy trình tổng quát thiết kế - sản xuất vi mạch. L.O.1.2 – Hiểu và phân biệt được các loại mô hình hóa linh kiện. L.O.1.3 – Trình bày được mối quan hệ và vai trò của các thành phần trong vi mạch bán dẫn. L.O.1.4 – Trình bày được quá trình sản xuất vi mạch. |
|
|
L.O.2 |
Mô tả được quá trình hình thành well và các luật thiết kế liên quan, tính toán điện trở của well thông qua layout và Rs. Phân tích được điện dung miền nghèo, điện dung khuếch tán của tiếp xúc pn. |
6b (P), 6c (P) |
L.O.2.1 – Mô tả được quá trình hình thành well và các luật thiết kế liên quan L.O.2.2 – Hiểu về khái niệm điện trở tấm và tính toán điện trở của well thông qua layout và L.O.2.3 – Phân tích được điện dung miền nghèo, điện dung khuếch tán của tiếp xúc pn L.O.2.4 – Tính toán thời gian trễ và thời gian tăng của mạch RC |
|
|
L.O.3 |
Nắm được cách thiết kế layout của bonding pad, các lớp kim loại, lớp active, n-select, p-select, poly1, silicide và tiếp xúc. Hiểu và trình bày được hiện tượng nhiễu xuyên kênh, nảy đất, tản điện tử và phóng tĩnh điện. |
4d (S) |
L.O.3.1 – Nắm được cách thiết kế layout của bonding pad, các lớp kim loại L.O.3.2 – Nắm được các lớp chế tạo bổ sung: lớp active, n-select, p-select, poly1, silicide và tiếp xúc L.O.3.3 – Hiểu và trình bày được hiện tượng nhiễu xuyên kênh, nảy đất, tản điện tử và phóng tĩnh điện |
|
|
L.O.4 |
Nắm được các yếu tố ảnh hưởng đến điện trở, và tính toán được điện trở trong quá trình sản xuất CMOS; các thông số ký sinh trong MOSFET và cách layout để tối thiểu hóa các thông số này. Phân biệt các kỹ thuật layout khác nhau. Hiểu được cách layout tụ điện poly-poly và sự phụ thuộc vào nhiệt độ của nó. |
2a (P), 2c (P) |
L.O.4.1 – Nắm được các yếu tố ảnh hưởng đến điện trở, và tính toán được điện trở trong quá trình sản xuất CMOS L.O.4.2 – Phân biệt các kỹ thuật layout khác nhau L.O.4.3 – Hiểu được cách layout tụ điện poly-poly và sự phụ thuộc vào nhiệt độ của nó. L.O.4.4 – Nắm được các thông số ký sinh trong MOSFET và cách layout để tối thiểu hóa các thông số này. |
|
|
L.O.5 |
Trình bày nguyên lý hoạt động của MOSFET, mô hình SPICE của MOSFET và tham số liên quan. Phân tích được mô hình MOSFET kênh dài kênh ngắn và mô hình nhiễu MOSFET. |
5a (S), 5b (S), 5c (S), 5d (S), |
L.O.5.1 – Trình bày nguyên lý hoạt động của MOSFET. L.O.5.2 – Trình bày các mô hình SPICE của MOSFET và tham số liên quan L.O.5.3 – Phân tích được mô hình MOSFET kênh dài và kênh ngắn L.O.5.4 – Phân tích mô hình nhiễu MOSFET |
|
|
L.O.6 |
Hiểu, phân tích và tính toán các mô hình kỹ thuật số cho vi mạch; phân tích được đặc tính của cổng Inverter với các layout khác nhau và trình bày khái niệm standard cell. |
1b (P), 1c (P), 1d (P) |
L.O.6.1 – Hiểu và phân tích mô hình kỹ thuật số của MOSFET L.O.6.2 – Hiểu cấu hình Pass Gate của MOSFET và tính toán độ trễ đi qua L.O.6.3 – Phân tích các đặc tính của cổng Inverter và trình bày khái niệm standard cell. L.O.6.4 – Hiểu và phân biệt được các cấu hình Inverter khác nhau |
|
|
L.O.7 |
Hiểu, trình bày, và phân biệt được quy trình thiết kế chung cho thiết kế vi mạch số và vi mạch tương tự; phương pháp thiết kế vi mạch bao gồm thiết kế full-custom và semi-custom; các kỹ năng cần thiết cho người kỹ sư thiết kế vi mạch số và vi mạch tương tự |
3a (P), 3c (P), 7a (P), 7b (P), 7c (P) |
L.O.7.1 – Trình bày và mô tả quy trình thiết kế vi mạch đầy đủ từ bước đặc tả đầu tiên đến bước đóng gói, kiểm tra cuối cùng. L.O.7.2 – Phân biệt được sự giống và khác nhau trong quy trình thiết kế vi mạch số và tương tự. L.O.7.3 – Phân biệt được sự khác nhau của phương pháp thiết kế full-custom và semi-custom. L.O.7.4 – Trình bày được quy trình thiết kế vật lý và logic, xác định được vai trò của các công cụ tổng hợp logic và các bước cần thiết để chuyển từ netlist đến layout cuối cùng. |
|
Tên tiếng Anh: Introduction to IC Design
Nội dung: 60 giờ video lý thuyết ( và 12 giờ thảo luận/thực hành )
Ngôn ngữ: Tiếng Việt ( có kèm phụ đề Tiếng Anh nếu có )
Môn học trước: Vật lý bán dẫn; Kỹ thuật số
PGS. TS. Hoàng Trang
TS. Trần Hoàng Linh
ThS. Trần Hoàng Quân
ThS. Nguyễn Trung Hiếu
Hoàn thành các nội dung và bài kiểm tra trực tuyến với tổng điểm >= 80% :
Tổng điểm = Xem video ( 20% ) + Thảo luận/Thực hành ( 20% ) + Làm bài tập lớn ( 40% ) + Làm bài kiểm tra/thi ( 20% )
Hoàng Trang, Cơ sở thiết kế vi mạch , NXB ĐHQG TP.HCM, 2024.
1. CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems Perspective, Pearson; 4th edition, 2010, ISBN: 978-0321547743.
2. Behzad Razavi, Design Of Analog Cmos Integrated Circuit, MC GRAW HILL; 2nd edition, 2017, ISBN: 978-9325983274.
3. R. Jacob Baker, CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation, IEEE Press Series on Microelectronic Systems, 4th Edition, 2019, ISBN: 978-1119481515
4. Samir Palnitkar, Verilog HDL: A Guide to Digital Design and Synthesis, Prentice Hall; 2nd edition, 2003, ISBN: 978-0132599702.
5. The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication, Oxford University Press; 2nd edition, 2001, ISBN: 978-0195136050.
6. FPGA Prototyping by Verilog Examples: Xilinx Spartan-3 Version, Wiley-Interscience; 1st edition, 2008, ISBN: 978-0470185322.
7. Donald Neamen, Microelectronics Circuit Analysis and Design, 4th edition, McGraw Hill, 2010, ISBN: 978-0-07-338064-3.
CHƯƠNG 1: Tổng quan về thiết kế vi mạch
Tổng quan vi mạch, các thành phần chính trong công nghiệp vi mạch [ video ].
Mô hình hóa linh kiện [ video ].
Quá trình sản xuất vi mạch [ video ].
CHƯƠNG 2: Giếng bán dẫn trong CMOS (WELL)
Lớp nền (substrate, wafer ban đầu chưa qua xử lý) [ video ].
Chế tạo giếng bán dẫn (well) [ video ].
Thiết kế và chế tạo n-well [ video ].
Diode giữa n-well và lớp nền [ video ].
Mô hình thời gian trễ RC đối với n-well [ video ].
Quy trình hai well, ba well (twin-well, triple-well) [ video ].
Luật thiết kế well (DR – Design Rule cho well) [ video ].
CHƯƠNG 3: Lớp kim loại, lớp tích cực, lớp select và lớp Poly
Mối hàn pad (Bonding pad)-Hiện tượng tản điện tử [ video ].
Cách thiết kế và layout cho lớp kim loại [ video ].
Nhiễu xuyên kênh, nảy đất [ video ].
Thiết kế layout cho pad, khung pad (pad frame) [ video ].
Các lớp chế tạo bổ sung: lớp active, n-select, p-select, poly1, silicide và tiếp xúc [ video ].
Sơ lược quy trình CMOS và kết nối dây dẫn với các lớp chế tạo bổ sung [ video ].
Bảo vệ phóng tĩnh điện (ESD – ElectroStatic Discharge) [ video ].
CHƯƠNG 4: Điện trở, tụ điện, các vấn đề ký sinh trong MOSFET
Điện trở và các yếu tố ảnh hưởng đến điện trở trong quá trình sản xuất CMOS [ video ].
Cách layout tụ điện poly-poly và sự phụ thuộc vào nhiệt độ của nó [ video ].
Các thông số ký sinh trong MOSFET và cách layout để tối thiểu hóa các thông số này [ video ].
CHƯƠNG 5: Hoạt động của MOSFET
Tổng quan và đánh giá điện dung MOSFET [ video ].
Điện áp ngưỡng [ video ].
Đặc tính IV của MOSFET [ video ].
Hiệu ứng kênh ngắn và kênh dài trong MOSFET [ video ].
Các mô hình SPICE của MOSFET và tham số liên quan [ video ].
CHƯƠNG 6: Mô hình và các vấn đề trong thiết kế vi mạch tương tự
Các ý tưởng, vấn đề chính trong quy trình thiết kế vi mạch tương tự [ video ].
MOSFET kênh dài và kênh ngắn [ video ].
Nhiễu điện và mô hình nhiễu MOSFET [ video ].
CHƯƠNG 7: Mô hình cho thiết kế vi mạch số và standard cell cổng đảo
Mô hình kỹ thuật số của MOSFET [ video ].
Cấu hình cổng chuyển của MOSFET [ video ].
Layout, đặc tính và ứng dụng của cổng Inverter [ video ].
Các cấu hình Inverter khác nhau[ video ].
CHƯƠNG 8: Quy trình thiết kế vi mạch: Mô hình, Cách Tiếp Cận, Nhiệm Vụ
Quy trình thiết kế chung [ video ].
Mô hình thiết kế [ video ].
Các phương án thiết kế [ video ].
Tổng quan một số nhiệm vụ và công cụ trong thiết kế vi mạch [ video ].
Quy trình thiết kế vi mạch tương tự và vi mạch số [ video ].
Để nhận chứng chỉ hoàn thành môn học, người học cần thực hiện các bước như sau:
Các nội dung bao gồm xem video, thảo luận, làm bài thực hành, làm bài tập lớn và bài kiểm tra/thi sẵn sàng trên hệ thống trong khoảng thời gian bắt đầu và kết thúc môn học. Người học, sau khi đăng kí và vào học, có thể truy cập đến tất cả các nội dung này.
Người học tham gia đầy đủ các nội dung trong môn học để đạt được tổng điểm tích luỹ >= 80% .
Người học có thể làm bài thực hành, thảo luận nhiều lần để cải thiện điểm tích luỹ. Các chủ đề thảo luận có thể có hạn nộp và có giảng viên phụ trách đánh giá.
Người học phải đăng kí tham dự và vượt bài kiểm tra đánh giá trực tiếp và có phí do ĐHQG-HCM tổ chức.
Nội dung học phần
GIỚI THIỆU MÔN HỌC | ||
Giới thiệu môn học Cơ sở thiết kế vi mạch | Xem | |
Video 0 - Giới thiệu môn học | Xem | |
Thảo luận chung môn học | Xem | |
CHƯƠNG 1: Tổng quan về thiết kế vi mạch | ||
Video 1.1 - Giới thiệu chương 1 | Xem | |
Video 1.2 - Tổng quan công nghiệp vi mạch | Xem | |
Video 1.3 - Thư viện thiết kế PDK | Xem | |
Video 1.4 - Mô hình hóa linh kiện | Xem | |
Video 1.5 - Sản xuất wafer | Xem | |
Video 1.6 - Sản xuất wafer (tt) | Xem | |
Video 1.7 - Số die trên wafer | Xem | |
Video 1.8 - Giới thiệu mask trong thiết kế vi mạch | Xem | |
Video 1.9 - Tổng quan về sản xuất vi mạch | Xem | |
Video 1.10 - Bài toán về sản xuất vi mạch | Xem | |
Video 1.11 - Quy trình CMOS đơn vị | Xem | |
Video 1.12 - Quy trình CMOS đơn vị (tt) | Xem | |
Video 1.13 - Quá trình Quang khắc | Xem | |
Video 1.14 - Quá trình Quang khắc (tt) | Xem | |
Video 1.15 - Phương pháp loại bỏ lớp màng mỏng | Xem | |
Video 1.16 - Quy trình lắng đọng lớp màng mỏng | Xem | |
Video 1.17 - Phòng sạch | Xem | |
Câu hỏi ôn tập chung chương 1 | Xem | |
Bài tập tổng hợp chương 1 | Xem | |
Bài kiểm tra chương 1 | Xem | |
Thảo luận chương 1 | Xem | |
CHƯƠNG 2: Giếng bán dẫn trong CMOS (WELL) | ||
Video 2.1 - Giới thiệu về well | Xem | |
Video 2.2 - Thiết kế và chế tạo n-well | Xem | |
Video 2.3 - Thiết kế và chế tạo n-well (tt) | Xem | |
Video 2.4.1 - Review về bán dẫn phần 1 | Xem | |
Video 2.4.2 - Review về bán dẫn phần 2 | Xem | |
Video 2.4.3 - Review về bán dẫn phần 3 | Xem | |
Video 2.5 - Diode giữa n-well và lớp nền | Xem | |
Video 2.6 - Diode giữa n-well và lớp nền (tt) | Xem | |
Video 2.7 - Mô hình thời gian trễ RC & Quy trình twin-well, triple-well | Xem | |
Video 2.8 - Luật thiết kế cho well | Xem | |
Câu hỏi ôn tập chung chương 2 | Xem | |
Bài tập tổng hợp chương 2 | Xem | |
Bài kiểm tra chương 2 | Xem | |
Thảo luận chương 2 | Xem |
CHƯƠNG 3: Lớp kim loại, lớp tích cực, lớp select và lớp Poly | ||
Video 3.1 - Giới thiệu chương 3 | Xem | |
Video 3.2 - Bonding pad | Xem | |
Video 3.3 - Bonding pad (tt) | Xem | |
Video 3.4 - Hiện tượng tản điện tử | Xem | |
Video 3.5 - Ví dụ về tản điện tử | Xem | |
Video 3.6 - Thiết kế và layout lớp kim loại | Xem | |
Video 3.7 - Các vấn đề kí sinh liên quan đến lớp kim loại | Xem | |
Video 3.8 - Các vấn đề kí sinh liên quan đến lớp kim loại (tt) | Xem | |
Video 3.9 - Các nguyên tắc thiết kế & Điện trở tiếp xúc | Xem | |
Video 3.10 - Nhiễu xuyên kênh & nảy đất | Xem | |
Video 3.11 - Thiết kế layout khung pad | Xem | |
Video 3.12 - Các lớp chế tạo bổ sung | Xem | |
Video 3.13 - Các lớp chế tạo bổ sung (tt) | Xem | |
Video 3.14 - Quy trình CMOS đối với các lớp chế tạo bổ sung | Xem | |
Video 3.15 - Kết nối dây dẫn với lớp poly, lớp active | Xem | |
Video 3.16 - Kết nối dây dẫn với lớp poly, lớp active (tt) | Xem | |
Video 3.17 - Bảo vệ phóng tĩnh điện | Xem | |
Câu hỏi ôn tập chung chương 3 | Xem | |
Bài tập tổng hợp chương 3 | Xem | |
Bài kiểm tra chương 3 | Xem | |
Thảo luận chương 3 | Xem | |
CHƯƠNG 4: Điện trở, tụ điện, các vấn đề ký sinh trong MOSFET | ||
Video 4.1 - Điện trở trong Thiết kế vi mạch | Xem | |
Video 4.2 - Điện trở trong Thiết kế vi mạch (tt) | Xem | |
Video 4.3 - Kỹ thuật layout Điện trở | Xem | |
Video 4.4 - Tụ điện trong Thiết kế vi mạch | Xem | |
Video 4.5 - Hiện tượng kí sinh trong MOSFET | Xem | |
Video 4.6 - Các thông số kí sinh trong MOSFET | Xem | |
Video 4.7 - Các thông số kí sinh trong MOSFET (tt) | Xem | |
Câu hỏi ôn tập chung chương 4 | Xem | |
Bài tập tổng hợp chương 4 | Xem | |
Bài kiểm tra chương 4 | Xem | |
Thảo luận chương 4 | Xem | |
CHƯƠNG 5: Hoạt động của MOSFET | ||
Video 5.1 - Tổng quan về điện dung MOSFET | Xem | |
Video 5.2 - Đánh giá điện dung MOSFET & Khái niệm Điện áp ngưỡng | Xem | |
Video 5.3 - Điện áp ngưỡng (tt) | Xem | |
Video 5.4 - Đặc tính IV của MOSFET phần 1 | Xem | |
Video 5.5 - Đặc tính IV của MOSFET phần 2 | Xem | |
Video 5.6 - Đặc tính IV của MOSFET phần 3 | Xem | |
Video 5.7 - Mô hình SPICE của MOSFET | Xem | |
Video 5.8 - Giới thiệu MOSFET kênh ngắn | Xem | |
Video 5.9 - Mô hình SPICE của MOSFET kênh ngắn | Xem | |
Câu hỏi ôn tập chung chương 5 | Xem | |
Bài tập tổng hợp chương 5 | Xem | |
Bài kiểm tra chương 5 | Xem | |
Thảo luận chương 5 | Xem | |
CHƯƠNG 6: Mô hình và các vấn đề trong thiết kế vi mạch tương tự | ||
Video 6.1 - Các vấn đề chính trong Thiết kế vi mạch tương tự | Xem | |
Video 6.2 - MOSFET kênh dài trong Thiết kế vi mạch tương tự | Xem | |
Video 6.3 - Phương trình Square-Law | Xem | |
Video 6.4 - Mô hình tín hiệu nhỏ | Xem | |
Video 6.5 - Mô hình tín hiệu nhỏ (tt) | Xem | |
Video 6.6 - Ảnh hưởng của nhiệt độ lên MOSFET | Xem | |
Video 6.7 - MOSFET kênh ngắn trong Thiết kế vi mạch tương tự | Xem | |
Video 6.8 - Nhiễu điện và mô hình nhiễu của MOSFET | Xem | |
Câu hỏi ôn tập chung chương 6 | Xem | |
Bài tập tổng hợp chương 6 | Xem | |
Bài kiểm tra chương 6 | Xem | |
Thảo luận chương 6 | Xem | |
CHƯƠNG 7: Mô hình cho thiết kế vi mạch số và standard cell cổng đảo | ||
Video 7.1 - Mô hình số của MOSFET | Xem | |
Video 7.2 - Mô hình số của MOSFET (tt) | Xem | |
Video 7.3 - Độ trễ và Thời gian chuyển tiếp | Xem | |
Video 7.4 - Cổng chuyển MOSFET | Xem | |
Video 7.5 - Độ trễ khi qua cổng chuyển & Một số lưu ý về phép đo trong mô hình số MOSFET | Xem | |
Video 7.6 - Giới thiệu cổng đảo & Đặc tính DC của cổng đảo | Xem | |
Video 7.7 - Đặc tính DC của cổng đảo (tt) | Xem | |
Video 7.8 - Đặc tính chuyển mạch của cổng đảo | Xem | |
Video 7.9 - Layout của mạch cổng đảo | Xem | |
Bài tập tổng hợp chương 7 | Xem | |
Bài kiểm tra chương 7 | Xem | |
Thảo luận chương 7 | Xem | |
CHƯƠNG 8: Quy trình thiết kế vi mạch: Mô hình, Cách Tiếp Cận, Nhiệm Vụ | ||
Video 8.1 - Quy trình thiết kế VLSI phần 1 | Xem | |
Video 8.2 - Quy trình thiết kế VLSI phần 2 | Xem | |
Video 8.3 - Quy trình thiết kế VLSI phần 3 | Xem | |
Video 8.4 - Mô hình thiết kế Không gian 3D | Xem | |
Video 8.5 - Biểu đồ Y Gajski-Kuhn | Xem | |
Video 8.6 - Thiết kế full-custom và semi-custom | Xem | |
Video 8.7 - Thiết kế semi-custom (tt) | Xem | |
Video 8.8 - Thiết kế Top-Down, Bottom-Up & Meet-in-the-Middle | Xem | |
Video 8.9 - Tổng quan về nhiệm vụ & công cụ trong Thiết kế vi mạch | Xem | |
Video 8.10 - Sự khác biệt giữa thiết kế vi mạch tương tự và vi mạch số | Xem | |
Video 8.11 - Quy trình thiết kế vi mạch tương tự | Xem | |
Video 8.12 - Quy trình thiết kế vi mạch tương tự (tt) | Xem | |
Video 8.13 - Quy trình thiết kế vi mạch số | Xem | |
Video 8.14 - Quy trình thiết kế vi mạch hỗn hợp | Xem | |
Video 8.15 - Digital/Analog: thảo luận thêm | Xem | |
Câu hỏi ôn tập chung chương 8 | Xem | |
Bài tập tổng hợp chương 8 | Xem | |
Bài kiểm tra chương 8 | Xem | |
Thảo luận chương 8 | Xem |
Hồ sơ giảng viên
Hoàng Trang
Giảng viên có 1 khóa học
Chào mừng
Liquid error: internal
0888 678 028 Email tư vấn kỹ thuật:
info@vnuhcm.edu.vn